王佳宁教授主导研究方向

（1）碳化硅(SiC)器件极限应用关键技术

研究背景：只有在碳化硅功率开关器件（如 SiC MOSFET 器件）极限高速、高温下，才能发挥其超越对应硅器件的“颠覆性”优势，带来电工装置装备功率密度、响应速度“革命性” 提升，加速碳化硅器件的硅替代进程 。

研究内容：结构寄生参数、电磁干扰及优化抑制策略以及高速高温环境定制化封装技术进行研究。

（2）宽禁带器件集成化封装

研究背景：通过封装技术将大功率的各种元器件集成在模块内，将极大的提高装置的电气性能，通过对装置小型化、模块化、标准化设计，实现流水线大规模工业生产，改变现有的功率变换器人工参与过多的现状，实现智能制造，提高生产率和降低装配成本。

研究内容：碳化硅功率芯片的封装材料、集成化模块的封装结构及可靠性、系统的 3D 集成封装技术进行研究。