系统实验平台图片

平台介绍：随着SiC 器件的应用优势越发明显，对SiC 器件的应用进行更深一步的挖掘也越发必要。本实验平台中间两管采用高频SiC MOSFET，其余四管为传统Si IGBT。通过本平台，可以进行以下研究实验：

1） 基于稳态热特性的功率器件损耗测试

ANPC 拓扑在不同调制策略下的效率对比

负责人：冯之健、王佳宁（老师）、张兴（老师）

地点：阳光浮体科技有限公司