2023年5月15日晚19：00，恒爱精诚团队在学术会议中心举办了本学年第七期读报活动。由四位同学针对各自的研究方向进行相关优秀文献的汇报分享,马铭遥老师担任本次读报的指导老师。全体研一同学到场参加本次读报活动并进行学习，研二实习同学线上参与此次读报活动。
图1读报活动现场
首先，季艺超同学进行汇报分享，他的读报题目为：“具有低振幅热应力和初始缺陷的功率模块的长期可靠性评估”。文章分析了IGBT功率模块中两种焊料缺陷的生长过程：空洞和裂纹，提供了在实际应用中发现的条件下估计模块寿命的指南。之后在功率循环之前和之后通过CT扫描来检测和测量缺陷，建立了有限元分析模型来评估焊料层中的应力集中和疲劳非弹性应变分布。研究了缺陷生长的机理和特征，发现附着在焊料-芯片边界上的空隙由于裂纹的形成会对功率模块的可靠性产生关键影响。
师生交流环节，马铭遥老师提出了论文中的实验并未排除功率模块在正常的情况下进行循环测试时出现的老化现象的影响，之后表示论文的三维模型似乎是对整个模型的建模，而不是仅仅对芯片焊膏的建模，这点需要季艺超同学更好的理解。季艺超同学认真思考了马铭遥老师提出的问题，并对马老师表示了感谢。
图2季艺超同学进行读报
接下来是樊志鑫同学进行汇报分享，读报题目为：“基于直流母线电压欠冲的SiC MOSFET结温在线估计方法”。文章提出了一种基于直流母线电压欠冲的新型SiC MOSFET结温估计方法。分析了结温与电流变化率之间的关系，并通过实验进行了验证。每个SiC MOSFET的电流变化率可以通过直流母线电压欠冲来测量，因为母线整流回路的杂散电感。在导通瞬态过程中，直流母线电压的欠冲值与相应SiC MOSFET的结温呈线性关系。因此，直流母线电压欠冲可用于监测半桥中两个SiC MOSFET的结温。并给出了实际实现误差和估计误差。该方法具有较高的结温监测精度和分辨率。
师生交流环节，马铭遥老师首先对樊志鑫同学的感悟提出了疑问，表示樊志鑫同学所说的多芯片器件系统级的整体在线监测目前尚未存在很多的SiC MOSFET, 之后表示论文对Undershoot value of bus voltage是什么电压并未作出解释，需要樊志鑫同学更好的理解论文。樊志鑫同学听取两位老师的建议并对两位老师的指导表示感谢。
图3樊志鑫同学进行读报
然后是周伟男同学进行汇报分享，读报题目为：“用于高温功率模块封装的玻璃”。论文提出了一种具备高温应用潜力的无机密封材料-低熔点玻璃，进一步研究了这种材料的封装工艺，并灌封了一个模块进行相关特性的研究。但是缺少进一步各种工况下低熔点玻璃对芯片产生应力的研究。周伟男同学的读报内容主要有以下几点: ①分析了低熔点玻璃作为封装材料的可行性 ②对玻璃封装工艺进行了解释 ③说明了玻璃封装单芯片MOSFET模块的制作与特性研究④分析了玻璃灌封的高温储存寿命（HTSL）可靠性。
师生交流环节，马铭遥老师首先询问灌封材料对论文中所述的高温模块影响是否很大，周伟男同学表示现有功率模块灌封料多为聚合物或有机密封剂，因存在热降解现象而无法长期在高温（250℃）下运行，从而限制了功率模块在高温环境下长期运行的能力，因此需要更好的灌封材料。之后马铭遥老师提出论文并没有对基板、芯片等与玻璃之间的PI缓冲层厚度及材料进行研究，因此论文可以进一步优化。周伟男同学听取老师的建议并对老师指导表示感谢。
图4周伟男同学进行读报
最后是付典礼同学进行汇报分享，读报题目为：“电动汽车充电应用中LLC谐振变换器的频率折叠”。论文本文提出了一种频率折叠技术，以减少电动汽车充电应用中LLC谐振转换器的工作频率范围。通过提议的模式切换，在较窄的频率变化范围内实现了较宽的输出电压范围，从而实现了更高的工作效率。其优势为能够减小变换器的工作频率范围，一点程度上提高变换器效率；劣势为需要在原有变换器上添加额外的元器件，增加成本。付典礼同学从此论文中也得到以下启发:与全桥结构相比，半桥结构的主要限制是其额定功率较低。因此可以考虑将频率折叠技术扩展到全桥或三相等较高功率的拓扑。
师生交流环节，马铭遥老师表示付典礼同学所选的论文很好，很具有创新性。之后对论文中的频率折叠技术提出了疑问，付典礼同学解释了LLC谐振转换器仅用传统转换器的二分之一的频率范围就实现了应有的增益。之后付典礼同学表示了对马铭遥老师的感谢。
图5付典礼同学进行读报
本次读报活动中，四位同学结合自己的研究领域，各自选择自己的研究文献，对文献中的内容与思想做了总结和分享，同时也得到指导老师宝贵的建议。
最后感谢恒爱精诚团队组织本次读报活动以及各位同学对团队读报活动的支持。通过此次读报活动，我们不仅获得了新的思路与见解，还拓宽了自己的学术视野，建立了良好的学术氛围，希望大家能够保持这种学习和交流的热情，珍惜每一次读报机会。本期读报活动圆满结束，期待下一次的学术交流活动！
编辑：张东雷| 摄影：张东雷
